Учреждение Российской академии наук Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН (RU)

Изобретение может быть использовано для создания фоточувствительных цифровых и аналоговых устройств. КМОП-фотоприемный элемент согласно изобретению содержит фотодиод и транзисторы схемы управления фотодиодом. Фотодиод в соответствии с изобретением формируется из двух слоев: заглубленного низколегированного слоя n-типа (выращивается на исходной подложке р-типа проводимости, на поверхности данного...

Изобретение относится к формированию интенсивного неоднородного магнитного поля в ограниченном пространстве и может быть использовано для эффективных головок записи на магнитные носители с высокой плотностью информации и устройств для переключения спинтронных нанокомпонентов в электронике, повышения пространственного разрешения, чувствительности и функциональных возможностей магнитных сенсорных у...