Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф Иоффе РАН (RU)

Изобретение относится к полупроводниковой технике. Сущность изобретения: при изготовлении детектора короткопробежных частиц легируют ионной имплантацией в окно поверхностный слой кремния на стороне p-n перехода примесью p-типа, а на омической стороне примесью n-типа дозой 1015-1016 при энергии ионов 500-2000 кэВ, отжигают имплантированные слои при температуре 850-950°С в течение 1-2 часов. Затем...