Патрашин Александр Иванович (RU)

Изобретение относится к оптоэлектронике. Многокаскадный лавинный фотодетектор содержит не менее двух каскадов умножения на основе полупроводниковых p+-n (n+-p) гетероструктур, включающих, по крайней мере, два полупроводниковых слоя. Толщины первых слоев гетероструктур не превышают диффузионную длину неосновных носителей тока. Концентрация легирующей примеси в первых слоях гетероструктур превышает...

Изобретение относится к конструкции многоэлементных (матричных) фотоприемников. Односвязная или неодносвязная диафрагма 3 в холодном экране многоэлементного фотоприемника не выходит за пределы участка площади, общего для пересекающихся фигур, являющихся сечениями наклонных пирамид. Основания пирамид совпадают с выходным зрачком объектива 4, формирующего изображение на матрице фоточувствительных э...