Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт "Платан" с заводом при НИИ" (ФГУП "НИИ "Платан" с заводом при НИИ") (RU)

Активный элемент полупроводникового лазера с поперечной накачкой электронным пучком включает гетероструктуру, выполненную на основе полупроводниковых соединений, выбранных из одной из полупроводниковых групп А2В6 или А3В5. Активная полупроводниковая структура размещена между верхним и нижним ограничивающими полупроводниковыми слоями, образующими в совокупности с активной структурой оптический вол...