Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН) (RU)

Активный элемент полупроводникового лазера с поперечной накачкой электронным пучком включает гетероструктуру, выполненную на основе полупроводниковых соединений, выбранных из одной из полупроводниковых групп А2В6 или А3В5. Активная полупроводниковая структура размещена между верхним и нижним ограничивающими полупроводниковыми слоями, образующими в совокупности с активной структурой оптический вол...