АЙКСТРОН АГ (DE)

Изобретение относится к аппаратурному оформлению процесса осаждения из газовой фазы кристаллических слоев на кристаллическую подложку. Устройство для осаждения, в частности, кристаллических слоев на, по меньшей мере, одну, в частности, кристаллическую подложку с образованной несколькими стеновыми частями 1, 2, 3, 4 технологической камерой 5, стеновые части 1, 2, 3, 4 которой электропроводны и сты...

Изобретение относится к устройству и способу управления температурой поверхности, по меньшей мере, одной подложки, лежащей в технологической камере реактора CVD. Подложка размещена в опорной выемке (20) опоры держателей подложки на удерживаемом образованной газовым потоком динамической газовой подушкой (8) держателе подложки (9). Подвод тепла к подложке (9) осуществляют, по меньшей мере, частично...

Изобретение касается конструкции источника устройства для нанесения покрытия методом парофазной эпитаксии (VPE). Источник содержит резервуар 2, содержащий жидкий или твердый исходный материал 1 и имеющий по направлению вверх отверстие, подающую линию 3 для реактивного газа 4, который вступает в реакцию с исходным материалом 1 для образования содержащего исходный материал технологического газа 5,...

Изобретение относится к устройству и способу осаждения одного или более тонких слоев полипараксилилена. Устройство содержит нагреваемый испаритель, используемый для испарения твердого или жидкого исходного материала. Труба подвода газа-носителя проходит в упомянутый испаритель. Газ-носитель переносит испаренный исходный материал, в частности испаренный полимер, в камеру пиролиза, которая располо...

Изобретение относится к способу осаждения одного или нескольких тонких слоев. Осуществляют введение органического материала для осаждения компонентов светоизлучающих диодов в виде газа или образующего полимер технологического газа вместе с газом-носителем с помощью газовпускного устройства (3) в осадительную камеру (8), чтобы на поверхности (7′) субстрата (7), размещенного на несущей поверхности...