Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственная фирма "Топаз-К" (RU)

Изобретение относится к полупроводниковой технологии, в частности к способам получения гетероэпитаксиальных структур кремния на сапфире, и может быть использовано в электронной технике при изготовлении полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способе получения гетероэпитаксиальных структур кремния на сапфире, включающем получение заготовки структуры кремния на сапфире, аморфизацию полу...

Предлагаемое изобретение относится к способу получения ультрадисперсного порошка бета-сиалона из природного алюмосиликатного сырья. Способ обеспечивает выход готового продукта со значительным содержанием основной фазы (92-95 мас.%). В соответствии с заявленным способом алюмосиликатное сырье (каолин) предварительно подвергают термообработке, подготовку шихты ведут путем сухого перемалывания термоо...