Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук (RU)

Туннельный магниторезистивный элемент относится к микроэлектронике, а именно к элементной базе спинтроники - новой области развития современной электроники, поскольку в его работе используются механизмы спин-зависимого электронного транспорта, и может быть использован при создании принципиально новых элементов, предназначенных для хранения, обработки и передачи информации. В туннельном магниторез...

Микрополосковый широкополосный полосно-пропускающий фильтр относится к технике сверхвысоких частот и предназначен для частотной селекции сигналов. Фильтр содержит диэлектрическую подложку, одна сторона которой полностью металлизирована экранирующим слоем, а на другой стороне параллельно расположены электромагнитно связанные свернутые полосковые проводники со скачками ширины на изгибе и замкнутыми...

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и может использоваться в селективных трактах приемных и передающих систем. Техническим результатом изобретения является уменьшение габаритных размеров узкополосных полосно-пропускающих фильтров и улучшение их селективных свойств. Устройство содержит диэлектрическую подложку, подвешенную между двумя экранами, на обе поверхности которой нанесены п...

Изобретение может быть использовано в микроэлектронике. Магнитный кобальт-марганцевый сульфид с гигантским магнитосопротивлением включает марганец, серу и кобальт при следующем соотношении компонентов, мас.%: кобальт 10-20, марганец 40-30, сера 50. Изобретение позволяет разрабатывать элементы микроэлектроники на основе эффекта гигантского магнитосопротивления для широкой области температур и магн...

Микрополосковая антенна с переключаемой поляризацией относится к технике сверхвысоких частот и может использоваться в трактах приемных и передающих систем связи, радиолокации и радионавигации. Устройство содержит металлический полосковый излучатель с отводом к коаксиальному кабелю и плоский металлический экран, между которыми находится диэлектрическая среда с управляемыми электромагнитными характ...