Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводникового машиностроения ОАО "НИИПМ" (RU)

Изобретение относится к технике полупроводникового производства и может быть использовано при нанесении фоторезиста на полупроводниковые пластины, а также другие подложки в процессе выполнения операций фотолитографии. Сущность изобретения: устройство для нанесения фоторезиста на подложки, содержащее камеру для нанесения, подложкодержатель с приводом его вращения, установленный в ванне для нанесен...

Изобретение относится к технологии получения тетрафторида кремния, используемого в производстве чистого поликристаллического кремния, пригодного, например, для изготовления солнечных батарей. Способ включает фторирование кварцита или кремния газом и последующее выделение тетрафторида кремния из образовавшейся газовой смеси. В качестве фторирующего газа выбирают фтористый водород (HF) или четырехф...