ФГБОУ ВПО Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (RU)

Изобретение может быть использовано в электронике, в частности в технологии изготовления полупроводниковых приборов на карбиде кремния, а также в области модифицирования поверхности ионной имплантацией для получения износо- и коррозионно-стойких материалов. Способ ионной имплантации включает создание плазмы внутри рабочей камеры и подачу импульсного ускоряющего напряжения, согласно изобретению им...