Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) (СПбГЭТУ "ЛЭТИ") (RU)
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) (СПбГЭТУ "ЛЭТИ") (RU) является правообладателем следующих патентов:
Способ получения монокристаллического sic
Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллического SiC, используемого для изготовления интегральных микросхем. Способ получения монокристаллического SiC предусматривает сублимацию источника SiC 9, размещенного в тигле, на подложку из затравочного монокристалла SiC 8 при прохождении паровой фазы источника SiC 9 через барьерный уловитель углерода (БУУ). В...
2405071