Учреждение Российской академии наук Институт физики микроструктур РАН (ИФМ РАН) (RU)
Учреждение Российской академии наук Институт физики микроструктур РАН (ИФМ РАН) (RU) является правообладателем следующих патентов:
Способ выращивания кремний-германиевых гетероструктур
Изобретение относится к технологии эпитаксиального нанесения полупроводниковых материалов на подложку. Техническим результатом изобретения является повышение стабильности и расширение ассортимента формируемых высококачественных кремний-германиевых гетероструктур в результате улучшения контролируемости молекулярно-лучевой эпитаксии гетероструктур за счет точного регулирования режима осаждения крем...
2407103