Учреждение Российской академии наук Институт физики микроструктур РАН (RU)

Изобретение относится к полупроводниковым светоизлучающим приборам, предназначенным для использования в современных телекоммуникационных системах связи, устройствах передачи информации, индикаторных устройствах, системах детектирования и т.п. Прибор согласно изобретению содержит подложку, активные слои p-типа и n-типа проводимости, между которыми расположена легированная редкоземельным элементом...

Активная зона представляет собой сверхрешетку, выполненную в виде гетероструктуры из соединений типа АIIIВV и обеспечивающую периодическую вариацию энергии дна зоны проводимости структуры. Сверхрешетка имеет период d, состоящий из одной потенциальной квантовой ямы и узкого потенциального барьера, ширина которого в 3-20 раз меньше ширины потенциальной квантовой ямы. Рабочим переходом в активной зо...

Резонатор имеет круговое сечение и изготовлен в виде тела вращения. Тело вращения включает в себя активную область, обкладочные слои и часть подложки. Образующая боковой поверхности тела вращения имеет наклон по отношению к нормали гетероструктуры. Технический результат заключается в обеспечении возможности вывода широкополосного по длине волны излучения в вертикальном направлении. 2 ил.