Федеральное государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского государственного института электронной техники" (ФГУ НПК "ТЦ" МИЭТ) (RU)

Изобретение относится к полупроводниковым приборам для преобразования воздействий радиационного излучения, преимущественно нейтронного, в электрический сигнал, измерение которого позволяет определить уровень радиации или набранную дозу облучения. P-I-N-диодный преобразователь нейтронного излучения - полупроводниковый прибор для преобразования воздействий радиационного излучения, преимущественно н...

Изобретение может быть использовано в микроэлектронике при производстве интегральных микросхем. Для получения слоя диоксида кремния загружают кассеты с кремниевыми подложками через открытую вакуумную заслонку в камеру осаждения реактора, закрывают вакуумную заслонку, проводят откачку реактора до 300-400 Па через байпасную линию, открывают вакуумный затвор, подают инертный газ в реактор, отключают...