Гоник Михаил Александрович (RU)

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов из расплава зонной плавкой при температурном градиенте с использованием нагревательного элемента, находящегося в контакте с расплавленной зоной, форма которой управляется, а подпитка осуществляется с помощью механизма для перемещения загрузки. Способ осуществляют выращиванием кристаллов бестигельным методом на затравку путем вытягивания вниз крис...