Федеральное государственное учреждение Научно-Производственный комплекс "Технологический центр" Московского института электронной техники (RU)

Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых микро- и наноэлектронных устройств. Сущность изобретения: в способе изготовления наноразмерных проволочных кремниевых структур на кремниевой подложке последовательно создают слой SiO2, слой кремния и затем опорный слой, на котором методами фотолитографии и ионно-плазменным травлением формируют рельеф с вертикальными стенками в местах буду...