Федеральное Государственное Учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского Государственного института электронной техники" (ФГУ НПК "ТЦ" МИЭТ) (RU)

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, к полупроводниковым приборам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Техническим результатом изобретения является создание интегральной схемы магнитотранзисторного датчика для получения выходного сигнала интегрального токомагнитного датчика на основе биполярного двухколлекторного магнитотранзистора в виде разности токов к...