САНИО СЕМИКОНДАКТОР КО., ЛТД. (JP)

Изобретение относится к полупроводниковому устройству, снабженному многослойной структурой межсоединений. Сущность изобретения: полупроводниковое устройство содержит полупроводниковую подложку, слой межсоединений, расположенный на полупроводниковой подложке, межслойную изоляционную пленку и проводящий слой, которые расположены на слое межсоединений так, что проводящий слой образует сотовую структ...