Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН) (RU)

Изобретение относится к технологии микро- и оптоэлектроники. Сущность изобретения: в способе формирования плоской гладкой поверхности твердотельного материала на подложке твердотельного материала формируют лунку, с участками поверхности, отклоненными в диаметрально противоположных направлениях, обеспечивающими противоположную направленность фронтов атомных ступеней. Проводят термоэлектрический от...