АБ МИКРОЭЛЕКТРОНИК ГЕЗЕЛЛЬШАФТ МИТ БЕШРЕНКТЕР ХАФТУНГ (AT)

Изобретение относится к схемной подложке с металлическим несущим слоем, на котором по меньшей мере локально расположен диэлектрический слой, причем диэлектрический слой имеет множество пор. Технический результат - повышение электрической изоляционной способности слоя диэлектрического материала, устранение проблемы возникновения коротких замыканий. Достигается тем, что схемная подложка с металличе...

Изобретение относится к способу изготовления металлизированной подложки (1), при этом подложка (1) по меньшей мере частично, предпочтительно полностью состоит из алюминия и/или алюминиевого сплава, при этом на поверхность (2) подложки (1) наносят по меньшей мере в некоторых зонах проводящую пасту (3), в первой фазе (B1) обжига подвергают проводящую пасту (3) воздействию постоянно повышающейся те...