Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук (RU)

Изобретение относится к способам анализа двухкомпонентных структур на основе кремния и может использоваться в электронной промышленности. Способ количественного определения диоксида кремния на поверхности кремния включает селективное травление исследуемого образца кремния водным раствором сравнения до полного растворения находящегося на образце кремния диоксида кремния, помещение полученного раст...