Общество с ограниченной ответственностью "Интелсоб" (ООО "Интелсоб") (RU)

Изобретение относится к конструированию высоковольтных высокотемпературных сильноточных тиристоров. Сущность изобретения: в высоковольтном высокотемпературном быстродействующем тиристоре с полевым управлением, содержащем анодную область из высоколегированной подложки p+-типа проводимости, базовую область из последовательных эпитаксиальных слоев n-типа и высокоомного n--типа проводимости, затворну...

Изобретение относится к микроэлектронике. Изобретение обеспечивает улучшение динамических свойств, расширение диапазона рабочих напряжений, увеличение плотности токов, повышение термодинамической устойчивости высоковольтных ультрабыстрых арсенид-галлиевых диодов. Сущность изобретения: в конструкции кристалла арсенид-галлиевого диода в эпитаксиальных анодных и катодных областях структуры профиль к...

Изобретение относится к конструированию высоковольтных сверхвысокочастотных биполярных транзисторов. Сущность изобретения: в сверхвысокочастотном биполярном p-n-p-транзисторе, содержащем коллекторную область на основе p+-типа монокристаллической кремниевой подложки, эпитаксиальный p-типа кремниевый слой, диффузионную тонкую n-область, диффузионную p+-типа эмиттерную область и металлические конта...