Учреждение Российской академии наук ИНСТИТУТ ФИЗИКИ МИКРОСТРУКТУР РАН (ИФМ РАН) (RU)

Изобретение относится к регистрации электромагнитного излучения с использованием многослойных структур металл-полупроводник. Сущность изобретения: чувствительный элемент для регистрации сигналов СВЧ диапазона представляет собой четырехполюсник, содержащий две пары последовательно включенных переходов металл - полупроводник и полупроводник - металл с полупроводником, являющимся общим для обеих ука...

Изобретение относится к чувствительным элементам для создания приемных устройств миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов длин волн. Чувствительный элемент с симметричной вольтамперной характеристикой для регистрации сигналов СВЧ диапазона представляет собой двухполюсник, состоящий из последовательно включенных переходов металл-полупроводник и полупроводник-металл с барьерами Шоттки, при эт...