федеральное государственное бюджетное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр "МИЭТ" (RU)

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в интегральных и сенсорных датчиках давления, изготовленных на основе гибридной и микромодульной технологии. Способ изготовления чувствительного элемента преобразователя давления на КНИ-структуре заключается в формировании в рабочем слое КНИ-пластины тензорезисторов, формировании изолирующего слоя на тензорезисторах, формиров...