Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИПФ СО РАН) (RU)

Устройство относится к измерительной технике. Матричный преобразователь терагерцевого излучения, состоящий из диэлектрической пленки, на которой со стороны падения терагерцевого излучения выполнена частотно-избирательная поверхность, а на противоположной стороне нанесен сплошной слой с металлической проводимостью. В первом варианте устройства частотно-избирательная поверхность выполнена в виде м...