Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (RU)

Изобретение относится к технике телевизионных измерительных систем и может быть использовано для построения трехмерных пользовательских интерфейсов в системах трехмерной виртуальной реальности, в играх и для управления объектами в пространстве виртуальной реальности. Технический результат заключается в расширении функциональных возможностей, а именно в обеспечении возможности взаимодействия чело...

Изобретение относится к области видеокомпрессии, в частности к области поиска векторов перемещений блоков изображения и способу кодирования векторов перемещений. Техническим результатом является качественное увеличение эффективности работы системы видеосжатия, особенно при низких битовых затратах, а также повышение ее производительности. Указанный технический результат достигается тем, что для п...

Изобретение относится к области стимулирования роста клеток живых организмов, в частности к устройствам электрического управления процессом роста клеток и тканей путем непосредственного приложения к тканям и клеткам электрического поля или тока. Устройство содержит культуральный планшет с лунками и крышкой. На крышке планшета расположены макетная плата, имеющая электрические шины, электроды. Эле...

Изобретение относится к микромеханике и предназначено для измерения амплитудно-частотных характеристик подвижных элементов микромеханических устройств. Способ включает формирование на неподвижных обкладках конденсатора гармонических сигналов с постоянной составляющей, из которых формируется компенсационный ток, равный первой гармонике суммы токов, протекающих через конденсаторы. При этом на подв...

Использование: микроэлектроника, полупроводниковая электроника, самосовмещенный высоковольтный интегральный транзистор может быть использован в производстве интегральных микросхем. Сущность изобретения: у самосовмещенного, высоковольтного транзистора р-n переходы сформированы в объеме полупроводниковой подложки без выхода на поверхность, а контакты к областям транзистора, изолированные в вертика...

Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: самосовмещенный высоковольтный интегральный транзистор содержит коллекторную область, состоящую из сильно легированной области первого типа проводимости, расположенную над диэлектриком, сформированным в подложке, и слабо легированную область того же типа проводимости, расположенную над сильно легированной областью, в слабо легирован...

Использование: микроэлектроника, полупроводниковая электроника. Сущность изобретения: интегральный диод содержит область, состоящую из сильно легированной области первого типа проводимости, расположенную над диэлектриком, сформированным в подложке, и слабо легированную область того же типа проводимости, расположенную над сильно легированной областью, эти области окружены щелевой комбинированной...

Изобретение относится к области видеокодирования, в частности к оценке и компенсации движения в динамических изображениях. Техническим результатом способа является улучшение визуального качества восстановленного видеоряда. Указанный технический результат достигается тем, что каждый кадр разбивается на блоки шестиугольной формы. Блоки группируются в три слоя. Для каждого блока осуществляется поис...