Общество с ограниченной ответственностью "МеГа Эпитех" (RU)

Изобретение относится к области силовой микроэлектронной техники, а более конкретно, к способам изготовления полупроводниковых p-i-n структур из соединений A3B5 методами жидкостной эпитаксии. Сущность изобретения: способ изготовления полупроводниковой p-i-n структуры на основе соединений GaAs-GaAlAs методом жидкостной эпитаксии включает нагрев исходной шихты до образования насыщенного раствора-р...