Учреждение Российской академии наук "Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения РАН" (ИАиЭ СО РАН) (RU)

Изобретение относится к области физической химии и может быть использовано в производстве фотонных кристаллов с заданными физическими свойствами. Сущность: подложку с предварительно нанесенными микросферами кремнезема помещают в реактор. Вакуумируют реакционную камеру до 10-4 торр. Затем подложку нагревают до температуры 192-230°С, напускают в зону реакции пары прекурсора с температурой 45-56°С....