Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (МИЭТ) (RU)

Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано в области наноэлектроники. Способ включает формирование слоя пористого анодного оксида анодным окислением титанового образца в потенциостатическом режиме в электролите на неводной основе, при этом после формирования слоя пористого анодного оксида проводят электрохимический процесс его отделения в слабом водном растворе нео...

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, к полупроводниковым приборам с биполярной структурой, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Техническим результатом изобретения является повышение чувствительности к магнитному полю, направленному параллельно поверхности кристалла. Трехколлекторный биполярный магнитотранзистор, содержащий кремниевую монокристаллическую...

Изобретение относится к вакуумной технике и представляет собой нанокомпозитную газопоглощающую структуру и способ ее получения, предназначенную для поддержания вакуума в различных приборах, в том числе микроэлектромеханических системах. Нанокомпозитная газопоглощающая структура представляет собой кремниевую подложку с центрами кристаллизации на поверхности, на которых выращен слой активного мета...

Изобретение относится к области приборостроения и может быть использовано при изготовлении чувствительных элементов, применяемых при изготовлении микромеханических акселерометров, микрогироскопов, интегральных датчиков давления. Задачей, на решение которой направлено изобретение, является упрощение и уменьшение технологического цикла сборки чувствительного элемента микромеханического датчика. В...

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано для проверки топологии фотошаблонов, печатных плат, микросхем на наличие дефектов. Техническим результатом является повышение точности контроля ширины элементов и изоляционных промежутков. Способ содержит этапы, на которых сканируют контролируемую поверхность, задают контрольные точки на элементах топологии и на уча...

Изобретение относится к микроэлектронике, методам и технологическим приемам контроля и анализа структуры интегральных схем, к процессам сухого плазменного травления. Сущность изобретения: слой TiN удаляется селективно к SiO2, вольфраму и поликремнию при реактивном ионном травлении его в плазме O2 с присутствующей в зоне разряда пластинкой фторопласта площадью 2-20% рабочей поверхности высокочаст...

Изобретение относится к области лазерной техники, в частности к устройствам для передачи лазерного излучения. Устройство содержит полый наносветовод, сердцевина которого заполнена водой или водным раствором с показателем преломления, большим показателя преломления оболочки. На торцах наносветовода расположены прозрачные окошки, а на внутреннюю поверхность оболочки наносветовода нанесено покрытие...

Использование: для получения высокотемпературных сверхпроводников и изготовления высокочувствительных приемников электромагнитного излучения. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает в себя формирование пленки из высокотемпературного сверхпроводящего материала, который представляет собой монофазный текстурированный сверхпроводник состава (Bi,Pb)2Sr2Ca2Cu3O10, на диэлектрическо...

Изобретение направлено на повышение прочности и производительности солнечного коллектора. В солнечном коллекторе содержатся два боковых профиля, каждый из которых выполнен в виде вертикальной стенки, имеющей на концах утолщения с направляющими пазами, перпендикулярными стенке, прозрачное ограждение, выполненное из стекла, закрепленного по боковым сторонам в верхних пазах боковых профилей, задняя...

Изобретение относится к способам формирования информационных сообщений в системе телемеханики. Технический результат заключается в повышении информативности и оперативности системы телемеханики. Для этого предложен способ информационного обмена в системе телемеханики, в котором любое информационное сообщение обрамляется признаками его начала и окончания, между ними размещаются поля кодов адреса,...

Изобретение относится к области формирования выходных сигналов высокочастотных КМОП микросхем и защиты выходов от электростатических разрядов. Техническим результатом является повышение быстродействия формирователя импульсов. Формирователь содержит выходной каскад на основе комплементарных выходных транзисторов и логических элементов 3ИЛИ/НЕ, 3И/НЕ. Устройство защиты содержит два комплементарных...

Изобретение относится к области электронной техники. В фотокатоде, выполненном из высокочистого полупроводника, область, регистрирующая оптическое излучение, выполнена в виде полупроводниковой мембраны с омическим контактом к несущей ее подложке и расположенной над отверстием в ней, на лицевой поверхности полупроводниковой мембраны расположен диэлектрический слой нанометровой толщины и приемн...

Изобретение относится к технике электрической связи и может использоваться в мобильных системах передачи и приема данных. Техническим результатом является возможность обеспечения корреляционного приема фазоманипулированных сигналов при отсутствии слежения за текущей фазой несущей частоты. Способ корреляционного приема фазоманипулированных сигналов включает разделение сигнала на равные компоненты...

Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Изобретение обеспечивает повышение чувствительности к магнитному полю, направленному параллельно поверхности кристалла. Трехколлекторный биполярный магнитотранзистор с ортогональными потоками носителей заряда содержит кремниевую монокристаллическую подложку, базовую область на поверхности подложки, имеющую малую концентрацию примеси, сильнол...

Изобретение может быть использовано при изготовлении гибких микропечатных плат, применяемых при изготовлении вторичных преобразователей микромеханических акселерометров, микрогироскопов, интегральных датчиков давления. Технический результат - получение высокоплотного монтажа при ширине электропроводящих дорожек менее 50 мкм, сокращение технологического цикла. Достигается тем, что в способе изгот...

Изобретение относится к приборостроению и может применяться для изготовления конструктивных элементов микромеханических приборов на кремниевых монокристаллических подложках, а именно упругих подвесов и всего чувствительного элемента в целом, например для микромеханических акселерометров и гироскопов. Изобретение обеспечивает снижение трудоемкости изготовления и повышение качества структур. Спосо...

Изобретение относится к полупроводниковой промышленности, в частности к интегральным микросхемам, и может быть использовано для защиты выходов высокочастотных металлооксидных полупроводниковых (МОП) микросхем от электростатических разрядов. Техническим результатом является повышение быстродействия выходного каскада. Выходной каскад с устройством защиты от электростатических разрядов (ЭСР) дополн...