Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" (RU)
Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" (RU) является правообладателем следующих патентов:
![Тензорезисторный преобразователь силы Тензорезисторный преобразователь силы](https://img.patentdb.ru/i/200x200/259ee7366954c25759a10696cce1aece.jpg)
Тензорезисторный преобразователь силы
Изобретение может быть использовано для измерения малых давлений с повышенной чувствительностью и точностью. Тензорезисторный преобразователь силы содержит упругий элемент, выполненный за одно целое с опорном кольцом. Упругий элемент выполнен с четырьмя сквозными отверстиями с поперечными прорезями в боковой грани. На плоской поверхности упругого элемента над сквозными отверстиями размещены тенз...
2498242![Способ изготовления тензорезисторного датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы Способ изготовления тензорезисторного датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы](https://img.patentdb.ru/i/200x200/2b51a8b07a8ac2ebd8cb7867d3ea3e6f.jpg)
Способ изготовления тензорезисторного датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы
Изобретение относится к измерительной технике, в частности к тензорезисторным датчикам давления на основе тонкопленочных нано- и микроэлектрических систем (НиМЭМС) с мостовой измерительной пенью, предназначенных для использования в системах управления, контроля и диагностики объектов длительного функционирования. Технический результат: повышение временной стабильности, ресурса, срока службы. Спо...
2498249![Интегральный тензопреобразователь ускорения Интегральный тензопреобразователь ускорения](https://img.patentdb.ru/i/200x200/c2c96646645c88634d33e599d55c8079.jpg)
Интегральный тензопреобразователь ускорения
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при конструировании микромеханических тензорезисторных акселерометров, работоспособных при повышенных температурах. Интегральный тензопреобразователь ускорения содержит выполненные из единого монокристалла кремния два основания и соединяющий их концентратор механических напряжений, рабочие поверхности которых расположены в о...
2504866![Способ изготовления тензорезисторного датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы Способ изготовления тензорезисторного датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы](https://img.patentdb.ru/i/200x200/bde1404bffcce808d4adedc5a8a77a06.jpg)
Способ изготовления тензорезисторного датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы
Изобретение относится к измерительной технике, в частности к тензорезисторным датчикам давления на основе тонкопленочных нано- и микроэлектромеханических систем (НиМЭМС) с мостовой измерительной цепью, предназначенных для использования в системах управления, контроля и диагностики объектов длительного функционирования. Технический результат: повышение временной стабильности, ресурса, срока служб...
2505791![Индукционный датчик частоты вращения Индукционный датчик частоты вращения](https://img.patentdb.ru/i/200x200/2376a0ba235fe8b699b45b88e81881af.jpg)
Индукционный датчик частоты вращения
Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может быть использовано для бесконтактного измерения частоты вращения валов двигателей в условиях широкого изменения рабочих температур. Технический результат заключается в повышении чувствительности преобразования, точности измерения частоты вращения и уменьшении габаритно-массовых параметров. Технический результат достигается б...
2505822![Способ изготовления тензорезисторного датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы Способ изготовления тензорезисторного датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы](https://img.patentdb.ru/i/200x200/a6e736ba248dbf4cdd3692e196ec0655.jpg)
Способ изготовления тензорезисторного датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы
Изобретение относится к измерительной технике, в частности к датчикам давления на основе тонкопленочных нано- и микроэлектрических систем (НиМЭМС), предназначенных для использования в системах управления, контроля и диагностики объектов длительного функционирования. Способ изготовления заключается в полировании поверхности мембраны, формировании на ней диэлектрической пленки и тензоэлементов с н...
2512142![Устройство формирования выходного сигнала индуктивного дифференциального измерительного преобразователя Устройство формирования выходного сигнала индуктивного дифференциального измерительного преобразователя](/img/empty.gif)
Устройство формирования выходного сигнала индуктивного дифференциального измерительного преобразователя
Изобретение относится к измерительной технике и может быть применено в устройствах, использующих в качестве первичного преобразователя индуктивные дифференциальные измерительные преобразователи, применяемые для измерения перемещений, вибраций и биений валов и объектов, работающих в широком диапазоне нестационарных температур. Устройство формирования выходного сигнала индуктивного дифференциально...
2515216![Тензорезисторный датчик давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы Тензорезисторный датчик давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы](https://img.patentdb.ru/i/200x200/9a6da3c33dac3ee4fa608fa46b38dedb.jpg)
Тензорезисторный датчик давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы
Тензорезисторный датчик давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы. Датчик давления предназначен для использования при воздействии повышенных виброускорений и широкого диапазона нестационарных температур окружающей и измеряемой среды. Технический результат: уменьшение погрешности датчика давления при воздействии повышенных виброускорений и широкого диапазона н...
2517798![Способ изготовления тензорезисторного датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы Способ изготовления тензорезисторного датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы](/img/empty.gif)
Способ изготовления тензорезисторного датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы
Изобретение относится к измерительной технике, в частности к тензорезисторным датчикам давления на основе тонкопленочных нано- и микроэлектромеханических систем (НиМЭМС) с мостовой измерительной цепью, предназначенных для использования в системах управления, контроля и диагностики объектов длительного функционирования. Техническим результатом изобретения является повышение временной стабильности...
2522770![Пьезоэлектрический датчик давления Пьезоэлектрический датчик давления](https://img.patentdb.ru/i/200x200/972ccf52e4bc415a48ac76edb03b756a.jpg)
Пьезоэлектрический датчик давления
Изобретение относится к точному приборостроению, в частности к датчикам, предназначенным для использования в различных областях науки и техники, связанных с измерением динамических давлений. Пьезоэлектрический датчик давления содержит корпус с мембраной, в котором расположен чувствительный элемент, состоящий из пьезоэлементов, токосъемника, расположенного между пьезоэлементами, и основания. Чувс...
2523091![Способ формирования импульсов из сигналов индукционных датчиков частоты вращения Способ формирования импульсов из сигналов индукционных датчиков частоты вращения](https://img.patentdb.ru/i/200x200/175930253c2ea5c6e3b7790277a7b1c1.jpg)
Способ формирования импульсов из сигналов индукционных датчиков частоты вращения
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в системах автоматического измерения, управления и аварийной защиты, в состав которых входят датчики, вырабатывающие двухполярные сигналы, в частности индукционные датчики частоты вращения и расхода. Техническим результатом является увеличение точности. Способ содержит этапы, на которых измеряют вольт-секундную площадь S1 п...
2523166![Высокотемпературный полупроводниковый преобразователь давления Высокотемпературный полупроводниковый преобразователь давления](https://img.patentdb.ru/i/200x200/d2a5961c3096337541a10ce53127ff70.jpg)
Высокотемпературный полупроводниковый преобразователь давления
Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к преобразователям малых давлений высокотемпературных сред, и может быть использовано в разработке и изготовлении малогабаритных полупроводниковых преобразователей давления, работоспособных при повышенных температурах. Полупроводниковый преобразователь давления содержит мембрану с утолщенным периферийным основанием. Мембрана имее...
2526788![Чувствительный элемент интегрального акселерометра Чувствительный элемент интегрального акселерометра](https://img.patentdb.ru/i/200x200/40b94f5946d7d608781fed6c32368668.jpg)
Чувствительный элемент интегрального акселерометра
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных акселерометров. Чувствительный элемент интегрального акселерометра выполнен из проводящего монокристаллического кремния и содержит маятник 3, соединенный с помощью упругих подвесов 2 с каркасной рамкой 1, обкладки 4, соединенные с каркасной рамкой 1 через площадки 6, расположенные на каркасной...
2526789![Способ изготовления тензорезисторного датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы Способ изготовления тензорезисторного датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы](https://img.patentdb.ru/i/200x200/49d496e5a6ce95270af736af57042438.jpg)
Способ изготовления тензорезисторного датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы
Изобретение относится к измерительной технике, в частности к тензорезисторным датчикам давления на основе тонкопленочных нано- и микроэлектромеханических систем (НиМЭМС) с мостовой измерительной цепью. Технический результат: повышение временной стабильности, ресурса, срока службы, уменьшение погрешности при воздействии нестационарных температур и повышенных виброускорений, повышение технологично...
2528541![Имитатор выходных сигналов тензорезисторов Имитатор выходных сигналов тензорезисторов](/img/empty.gif)
Имитатор выходных сигналов тензорезисторов
Изобретение относится к технике метрологии для проверки и аттестации вторичных тензоизмерительных приборов. Технический результат заключается в повышении точности имитации разбаланса измерительного моста за счет использования в качестве источника образцового напряжения умножающего цифроаналогового преобразователя с подключением источника питания измерительного моста к его входу опорного напряжен...
2536676![Компенсационный акселерометр Компенсационный акселерометр](/img/empty.gif)
Компенсационный акселерометр
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для высокоточного измерения ускорений в системах коррекции дальности полета реактивных снарядов. Целью предлагаемого изобретения является уменьшение температурной нестабильности коэффициента преобразования акселерометра. Компенсационный акселерометр содержит инерционный элемент (1), колебательную систему (2), преобразователь...
2536855![Тензорезисторный датчик давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы Тензорезисторный датчик давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы](https://img.patentdb.ru/i/200x200/e15b6803c501e2cc4ec3e1f39c8c06a5.jpg)
Тензорезисторный датчик давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы
Датчик давления предназначен для использования при воздействии повышенных виброускорений и широкого диапазона нестационарных температур окружающей и измеряемой среды. Техническим результатом изобретения является уменьшение погрешности датчика давления при воздействии повышенных виброускорений и широкого диапазона нестационарных температур измеряемой и окружающей среды, уменьшение времени готовно...
2537470![Формирователь импульсов из сигналов индукционных датчиков частоты вращения Формирователь импульсов из сигналов индукционных датчиков частоты вращения](/img/empty.gif)
Формирователь импульсов из сигналов индукционных датчиков частоты вращения
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в системах автоматического измерения, управления и аварийной защиты. Достигаемый технический результат - повышение точности формирования импульсов для различных приложений за счет обеспечения перенастройки параметров устройства. Формирователь импульсов из сигналов индукционных датчиков частоты вращения содержит компаратор,...
2541095![Способ изготовления тензорезисторного датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы Способ изготовления тензорезисторного датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы](/img/empty.gif)
Способ изготовления тензорезисторного датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы
Изобретение относится к измерительной технике, в частности к тензорезисторным датчикам давления на основе тонкопленочных нано- и микроэлектромеханических систем (НиМЭМС) с мостовой измерительной цепью. Техническим результатом изобретения является повышение временной стабильности, ресурса, срока службы, уменьшение погрешности при воздействии нестационарных температур и повышенных виброускорений....
2545314![Тензорезисторный датчик давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы Тензорезисторный датчик давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы](https://img.patentdb.ru/i/200x200/b2fd784c168d7f115704fa294ba849d9.jpg)
Тензорезисторный датчик давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы
Изобретение относится к измерительной технике, в частности к тензорезисторным датчикам давления на основе тонкопленочных нано- и микроэлектромеханических систем (НиМЭМС). Техническим результатом изобретения является повышение временной и температурной стабильности, ресурса, срока службы и чувствительности, а также уменьшение погрешности от нелинейности статической характеристики датчика. Датчик...
2547886![Полупроводниковый преобразователь давления Полупроводниковый преобразователь давления](/img/empty.gif)
Полупроводниковый преобразователь давления
Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к преобразователям малых давлений высокотемпературных сред, и может быть использовано в разработке и изготовлении малогабаритных полупроводниковых преобразователей давления, работоспособных при повышенных температурах. Полупроводниковый преобразователь давления содержит мембрану с утолщенным периферийным основанием. Мембрана имее...
2555190![Способ стабилизации упругого элемента датчика давления с тензорезисторами Способ стабилизации упругого элемента датчика давления с тензорезисторами](https://img.patentdb.ru/i/200x200/4ae97773fb1e3ed71cc056ae4ca4e291.jpg)
Способ стабилизации упругого элемента датчика давления с тензорезисторами
Изобретение относится к области электронной техники, в частности технологии изготовления датчиков, преимущественно тензометрических датчиков давления. Способ стабилизации упругого элемента датчика давления с тензорезисторами заключается в термостабилизации упругого элемента с циклическим разогревом тензорезисторов до температур. Высокотемпературный отжиг проводят в вакууме в три цикла до темпера...
2566538![Способ изготовления тонкопленочных резисторов Способ изготовления тонкопленочных резисторов](https://img.patentdb.ru/i/200x200/1dc48ff494f46dcfbc4b9bf6325b3a2b.jpg)
Способ изготовления тонкопленочных резисторов
Изобретение относится к области электронной техники, а именно к средствам измерения, в конструкции которых применен тензорезистивный элемент на металлической подложке, изготовленный с использованием тонкопленочной технологии. Способ изготовления тонкопленочных резисторов включает последовательное напыление на диэлектрическую подложку резистивной и проводящей пленок, формирование микрорисунка рез...
2568812![Устройство измерения динамического давления Устройство измерения динамического давления](/img/empty.gif)
Устройство измерения динамического давления
Предлагаемое изобретение относится к измерительной технике, в частности к средствам измерения давления, и может быть использовано при измерении динамического давления совместно с пьезоэлектрическими датчиками динамического давления. Устройство измерения динамического давления содержит пьезоэлемент 1 и измерительный блок 2, который состоит из генератора переменного тока 3, усилителя широкополосно...
2568948![Камертонный измерительный преобразователь механических напряжений и деформаций Камертонный измерительный преобразователь механических напряжений и деформаций](https://img.patentdb.ru/i/200x200/02273361f4631b1b09480dd79fc5af10.jpg)
Камертонный измерительный преобразователь механических напряжений и деформаций
Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано в разработке и изготовлении малогабаритных полупроводниковых преобразователей силы, механических напряжений и деформаций, работоспособных при повышенных и пониженных температурах. Кремниевый камертонный преобразователь механических напряжений и деформаций содержит механический резонатор с ножками в форме сдвоенного к...
2569409![Микромеханический волоконно-оптический датчик давления Микромеханический волоконно-оптический датчик давления](https://img.patentdb.ru/i/200x200/b9deb7cf12f2515b4cbe1c3e1757dbbe.jpg)
Микромеханический волоконно-оптический датчик давления
Изобретение относится к измерительной технике. Микромеханический волоконно-оптический датчик давления выполнен на основе оптического волокна, содержащего участки ввода и вывода излучения, а также участок, размещенный в пропускном канале корпуса. При этом пропускной канал включает участок для размещения оптического кабеля параллельно основанию корпуса и выполнен в виде паза с рифленой поверхность...
2571448![Способ изготовления интегрального микромеханического реле Способ изготовления интегрального микромеханического реле](https://img.patentdb.ru/i/200x200/70730f79c533cdc4c636be22a81dfe3e.jpg)
Способ изготовления интегрального микромеханического реле
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении приборов микроэлектромеханических систем, в частности интегральных микромеханических реле и устройств на их основе. Технический результат: повышение надежности и временной стабильности интегрального микромеханического реле. Сущность: способ изготовления интегрального микромеханического реле с подвижным...
2572051![Способ изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур Способ изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур](https://img.patentdb.ru/i/200x200/64306058a671ddbbe328d833dfbf2c62.jpg)
Способ изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур
Изобретение относится к приборостроению и может применяться при изготовлении кремниевых микромеханических датчиков, таких как датчики давления и акселерометры. Сущность изобретения: в способе изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур на кремниевой пластине создают защитный слой, создают контрастный слой из материала, отличающегося от материала защитного слоя, формируют последовател...
2572288