Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук (НТЦ микроэлектроники РАН) (RU)
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук (НТЦ микроэлектроники РАН) (RU) является правообладателем следующих патентов:
![Полупроводниковый электролюминесцентный излучатель Полупроводниковый электролюминесцентный излучатель](/img/empty.gif)
Полупроводниковый электролюминесцентный излучатель
Изобретение к полупроводниковым электролюминесцентным излучателям с управляемыми цветовыми характеристиками. Полупроводниковый электролюминесцентный излучатель включает соединенный с источником электропитания полупроводниковый светоизлучающий кристалл, генерирующий световой поток при протекании через него питающего тока, при этом использован кристалл, излучающий свет, по меньшей мере, в двух раз...
2504048![Способ определения температурного распределения по поверхности светодиода Способ определения температурного распределения по поверхности светодиода](https://img.patentdb.ru/i/200x200/a078abe6657530ddf2c552978cd690d2.jpg)
Способ определения температурного распределения по поверхности светодиода
Изобретение относится к области оптоэлектронной техники и касается способа определения температурного распределения по поверхности светодиода. Способ включает в себя нанесение на поверхность светодиода пленки покровного материала, определение с помощью ИК тепловизионного микроскопа калибровочной зависимости излучаемого находящимся в нерабочем режиме светодиодом сигнала от температуры при внешнем...
2594655![Способ тестирования светодиода Способ тестирования светодиода](/img/empty.gif)
Способ тестирования светодиода
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для тестирования качества полупроводниковых приборов, в частности светодиодов, с целью выявления в них дефектов, обусловленных дефектностью структуры, качеством монтажа, неравномерностью растекания тока и другими факторами. В способе тестирования светодиода, включающем пропускание через светодиод ступенчато изменяющегося э...
2617148![Способ получения антимонида галлия с большим удельным электрическим сопротивлением Способ получения антимонида галлия с большим удельным электрическим сопротивлением](/img/empty.gif)
Способ получения антимонида галлия с большим удельным электрическим сопротивлением
Изобретение относится к электронной технике, а именно к способам изготовления антимонида галлия с большим удельным электрическим сопротивлением, применяемым в производстве полупроводниковых приборов. В способе изготовления антимонида галлия с большим удельным электрическим сопротивлением, включающем выращивание антимонида галлия методом эпитаксии на подложке из антимонида галлия, при этом процесс...
2623832