Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт Российской академии наук (RU)
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт Российской академии наук (RU) является правообладателем следующих патентов:

Способ изготовления полевого нанотранзистора с контактами шоттки с укороченным управляющим электродом нанометровой длины
Использование: в области микро- и наноэлектроники. Сущность изобретения: способ изготовления полевого нанотранзистора с контактами Шоттки на истоке/стоке и с управляющим электродом нанометровой длины включает выделение на полупроводниковой подложке активной области прибора, нанесение на поверхность полупроводниковой подложки контактного слоя истока/стока, состоящего из двух слоев - первого (нижн...
2504861
Способ изготовления диэлектрического слоя мдп структур, обладающих эффектом переключения проводимости
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники. Способ изготовления диэлектрического слоя МДП структур, обладающих эффектом переключения, заключается в нанесении нанокомпозитной пленки оксинитрида кремния с включенными кластерами кремния. Нанесение осуществляют методом плазменного распыления кремниевой мишени при скорости осаждения 5-7 нм/мин в среде аргона с добавками 3-5% об. кислоро...
2529442
Конструкция диэлектрического слоя для мдп cтруктур, обладающих эффектом переключения проводимости
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к конструкции диэлектрического слоя МДП структур, обладающих эффектом переключения проводимости. Особенность предлагаемой конструкции состоит в том, что внутри основной диэлектрической пленки - широкозонного полупроводника из оксида и/или нитрида кремния или их сплавов с углеродом или германием, со встроенными наноразмерными клас...
2563553
Туннельный нелегированный многозатворный полевой нанотранзистор с контактами шоттки
Использование: в полупроводниковой технологии для изготовления нанотранзисторов и СБИС. Технический результат: электрическое легирование с помощью дополнительных управляющих электродов затворов, позволяющее создавать более резкие p-n-переходы, чем в туннельных транзисторах с физическим легированием; увеличение крутизны вольт-амперных характеристик туннельных транзисторов и снижение их порогового н...
2626392