Общество с ограниченной ответственностью "Ме Га Эпитех" (RU)
Общество с ограниченной ответственностью "Ме Га Эпитех" (RU) является правообладателем следующих патентов:
![Устройство для жидкофазной эпитаксии многослойных полупроводниковых структур Устройство для жидкофазной эпитаксии многослойных полупроводниковых структур](https://img.patentdb.ru/i/200x200/77673a1bf61cb1aa14d0f376881c4361.jpg)
Устройство для жидкофазной эпитаксии многослойных полупроводниковых структур
Изобретение относится к электронной технике, в частности к устройствам для получения многослойных полупроводниковых гетероструктур. Устройство содержит корпус 1 с крышкой 2, контейнер 3 с емкостями для исходных расплавов, снабженный поршнями 4, многосекционный держатель 14 подложек, камеру роста 5 и каналы для подачи и вывода расплавов. Контейнер 3 с емкостями расположен под многосекционным держ...
2515316![Способ единовременного получения p-i-n структуры gaas, имеющей p, i и n области в одном эпитаксиальном слое Способ единовременного получения p-i-n структуры gaas, имеющей p, i и n области в одном эпитаксиальном слое](https://img.patentdb.ru/i/200x200/f939eafba510cf1bbf7e3cd0cafe9a70.jpg)
Способ единовременного получения p-i-n структуры gaas, имеющей p, i и n области в одном эпитаксиальном слое
Изобретение относится к области силовой микроэлектронной техники, а более конкретно к способам изготовления полупроводниковых p-i-n структур из соединений А3В5 методами жидкостной эпитаксии. В способе единовременного получения p-i-n структуры GaAs, имеющей р, i и n области в одном эпитаксиальном слое, в ходе процесса эпитаксии при выращивании высокоомной i-области, ограниченной с двух сторон слабо...
2610388![Способ получения многослойных гетероэпитаксиальных структур в системе algaas методом жидкофазной эпитаксии Способ получения многослойных гетероэпитаксиальных структур в системе algaas методом жидкофазной эпитаксии](/img/empty.gif)
Способ получения многослойных гетероэпитаксиальных структур в системе algaas методом жидкофазной эпитаксии
Изобретение относится к области микроэлектронной техники, а более конкретно к способам изготовления многослойных полупроводниковых структур в системе AlGaAs методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ). Метод ЖФЭ применяют для изготовления оптоэлектронных приборов и приборов силовой электроники. При реализации разработанного способа выращивают дополнительный слой AlxGa1-xAs состава 0,85≤x≤0,95 после формир...
2639263