Товмасян Владимир Михайлович (RU)

Изобретение относится к области технологии материалов для оптоэлектроники конструкционной оптики, которые могут быть использованы для изготовления оптических элементов ИК-техники. Способ включает подготовку шихты на основе селенида цинка, помещение ее в реактор, вакуумирование до давления 10-5-10-4 мм.рт.ст., нагрев зоны испарения реактора до температуры испарения, пропускание паров ZnS...