PatentDB.ru — поиск по патентным документам

ФИЛИПС ЛЮМИЛЕДС ЛАЙТИНГ КОМПАНИ ЭлЭлСи (US)

ФИЛИПС ЛЮМИЛЕДС ЛАЙТИНГ КОМПАНИ ЭлЭлСи (US) является правообладателем следующих патентов:

Продолжение контактных площадок до края кристалла с электрической изоляцией

Продолжение контактных площадок до края кристалла с электрической изоляцией

Кристаллы светоизлучающего диода (СИД) производят путем формирования слоев СИД, включая слой первого типа проводимости, светоизлучающий слой и слой второго типа проводимости. Формируются канавки в слоях СИД, которые проникают, по меньшей мере, частично в слой первого типа проводимости. Области электрической изоляции формируются на или примыкающими к, по меньшей мере, участкам слоя первого типа п...

2523777

Отражающий контакт для полупроводникового светоизлучающего устройства

Отражающий контакт для полупроводникового светоизлучающего устройства

Полупроводниковое светоизлучающее устройство содержит полупроводниковую структуру, которая в свою очередь содержит светоизлучающий слой, размещенный между областью n-типа и областью р-типа; р-электрод, размещенный на части области р-типа, а р-электрод содержит отражающий первый материал в непосредственном контакте с первой частью области р-типа; второй материал в непосредственном контакте со вто...

2535636

Полупроводниковый светоизлучающий диод с конверсией длины волны

Полупроводниковый светоизлучающий диод с конверсией длины волны

Полупроводниковое светоизлучающее устройство содержит полупроводниковую структуру, содержащую светоизлучающий слой; люминесцентный материал, размещенный на пути света, излучаемого светоизлучающим слоем; и термоконтактный материал, размещенный в прозрачном материале; причем термоконтактный материал не производит конверсии длины волны света, излучаемого светоизлучающим слоем; термоконтактный матер...

2550753

Светоизлучающее устройство из элементов iii-v групп, включающее в себя светоизлучающую структуру

Светоизлучающее устройство из элементов iii-v групп, включающее в себя светоизлучающую структуру

Полупроводниковое светоизлучающее устройство согласно изобретению содержит многослойную подложку, которая содержит основу; и затравочный слой, связанный с основой; и полупроводниковую структуру, выращенную поверх затравочного слоя, причем полупроводниковая структура содержит светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа; при этом вариация показателя преломления в н...

2559305

Электрическая лампа, имеющая рефлектор для переноса тепла от источника света

Электрическая лампа, имеющая рефлектор для переноса тепла от источника света

Изобретение относится к электрической лампе. Лампа содержит первичный полупроводниковый источник (104) света в тепловой связи с первичным рефлектором (106), который является отражающим, прозрачным и/или полупрозрачным. Первичный рефлектор (106) конфигурирован для переноса тепла, генерируемого первичным полупроводниковым источником (104) света во время эксплуатации, в сторону от упомянутого перви...

2578198