Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики микроструктур Российской академии наук (ИФМ РАН) (RU)

Предложенная группа изобретений относится к полупроводниковым лазерам. Полупроводниковый лазер включает гетероструктуру, выращенную на подложке, содержащей буферный слой, покровный слой, контактный слой, активную область с активной квантовой ямой либо с активными квантовыми ямами, выполненную в p-n- и/или в p-i-n- переходе, сформированном в окружающих ее слоях полупроводника, с показателем прело...

Изобретение относится к технической физике, в частности к инструментам для исследования и измерения оптических элементов и систем. Низкокогерентный интерферометр с дифракционной волной сравнения содержит источник низкокогерентного света, делителя света, к выходам которого подключены две части оптоволокна, функцию средства для перенаправления света от исследуемого объекта на регистратор выполняет...