Федеральное государственное бюджетное учреждение науки "Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра Российской Академии наук" (RU)

Изобретение относится к области тонкопленочной технологии, а именно к технологии получения прозрачных проводящих слоев на основе оксида цинка, легированного галлием или алюминием. На подложке формируют промежуточный и основной слои на основе оксида цинка, легированного галлием или алюминием. Промежуточный слой формируют с концентрацией легирующего компонента в интервале от значения, которое сов...

Изобретение относится к области измельчения различных материалов сложного состава, в частности диспергирования сложных неорганических соединений. Материал размалывают в атмосфере заданного состава. Материал в процессе размалывания облучают излучением. Излучение содержит фотоны с энергией от 0,9E до 1,1E, где E - энергия активации десорбции по крайней мере одного компонента измельчаемого материал...