Закрытое акционерное общество "НИИМП-Т" (RU)

Изобретение позволяет значительно упростить способ изготовления полупроводниковых приборов для управления СВЧ мощностью, в частности ограничительного элемента на основе p-i-n диодов. Способ изготовления полупроводниковых приборов для управления СВЧ мощностью на основе p-i-n структур заключается в равномерном утонении центральной части полупроводниковой пластины, создании на обеих сторонах центра...