Акционерное общество "Рязанский завод металлокерамических приборов" (АО "РЗМКП") (RU)

Изобретение относится к технике, связанной с процессами ионно-плазменного легирования полупроводников и может быть использовано в производстве солнечных элементов, полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на основе кремния. Способ легирования кремния заключается в том, что пластину кремния обрабатывают в тлеющем разряде инертных газов, не являющихся легирующими примесями, в качестве и...

Изобретение относится к технологии, связанной с процессами легирования и диффузии примесей в полупроводники, а именно к способам диффузионного перераспределения примеси с поверхности по глубине полупроводниковых пластин, и может быть использовано в производстве солнечных фотоэлементов, полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. В способе легирования полупроводниковых пластин к подложке...

Изобретение относится к электровакуумной технике, в частности к способам изготовления высоковольтных вакуумных герконов. Техническим результатом изобретения является обеспечение возможности размещения внутри геркона титанового геттера без изменения его конструкции. Технический результат достигается за счет того, что согласно способу титановый геттер размещают внутри геркона, создают в объеме герко...