ФАНО России Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук (RU)
ФАНО России Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук (RU) является правообладателем следующих патентов:
![Сверхпроводниковый джозефсоновский прибор с композитной магнитоактивной прослойкой Сверхпроводниковый джозефсоновский прибор с композитной магнитоактивной прослойкой](https://img.patentdb.ru/i/200x200/54d179daefd8f6d4938b98d66aa1a8ef.jpg)
Сверхпроводниковый джозефсоновский прибор с композитной магнитоактивной прослойкой
Использование: для создания сверхпроводникового джозефсоновского прибора. Сущность изобретения заключается в том, что сверхпроводниковый джозефсоновский прибор с композитной магнитоактивной прослойкой на основе тонкопленочной структуры имеет планарную геометрию из тонких пленок в виде гетероструктуры Sd-M-S (Sd - базовая пленка купратного сверхпроводника, М - композитная магнитоактивная прослойк...
2598405![Фокусирующий линзовый объектив Фокусирующий линзовый объектив](https://img.patentdb.ru/i/200x200/d03b786bff9c4239925a6e0f3317a0c1.jpg)
Фокусирующий линзовый объектив
Объектив может использоваться для концентрации энергии электромагнитного поля, а также для создания изображения объекта в диапазонах от сверхвысокочастотного (СВЧ) и до оптического включительно. Объектив содержит фокусирующую линзу, дополнительную вторую линзу и трубку-держатель линз на ее торцах. Дополнительная линза выполнена так, чтобы излучение от источника электромагнитных волн, преобразован...
2621217![Способ изготовления устройств со свободно висящими микромостиками Способ изготовления устройств со свободно висящими микромостиками](/img/empty.gif)
Способ изготовления устройств со свободно висящими микромостиками
Изобретение относится к области тонкопленочной сверхпроводниковой микроэлектроники, в частности к изготовлению высокочувствительных болометров, электронных охладителей, одноэлектронных транзисторов, содержащих свободно висящий микромостик нормального металла и сверхпроводниковые переходы типа сверхпроводник-изолятор-нормальный металл (СИН), сверхпроводник-изолятор-другой сверхпроводник (СИС'), а т...
2632630