Общество с ограниченной ответственностью "ИоффеЛЕД" (RU)

Изобретение относится к оптоэлектронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для детектирования и испускания инфракрасного (ИК) излучения при комнатной температуре. Способ изготовления диодов средневолнового ИК диапазона спектра согласно изобретению включает изготовление многослойной эпитаксиальной гетероструктуры, содержащей подложку из полупроводникового материала A3...

Изобретение относится к области оптико-электронного приборостроения и может быть использовано, в частности, для дистанционного измерения температуры объектов методами пирометрии. Технический результат - повышение точности и надежности. Для этого фотометр содержит по крайней мере два фотодиода, блоки усиления, регистрации и обработки сигналов фотодиодов, источник напряжения или тока, оптическую схе...

Изобретение относится к оптоэлектронным измерительным устройствам и может быть использовано для бесконтактного измерения температуры объекта по его излучению. Устройство включает фокусирующую оптическую систему (2), фотодетектор (1), совмещенный с изображением измеряемой области (4) объекта (5), по меньшей мере три полупроводниковых излучателя (3) видимого диапазона спектра, расположенных вокруг...

Изобретение относится к оптоэлектронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для детектирования и испускания инфракрасного (ИК) излучения. Многоканальный инфракрасный фотоприемный модуль содержит дискретные полупроводниковые фотоприемники (1, 2) с возрастающей по ходу входящих лучей граничной длиной волны фоточувствительности (λ2>λ1) причем пространство между двумя фо...

Изобретение относится к оптоэлектронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для детектирования и испускания инфракрасного ИК излучения при комнатной температуре. Способ изготовления диодов для средневолнового ИК диапазона спектра включает выращивание полупроводниковых слоев, по крайней мере один из которых поглощает/излучает кванты с энергией 0.2-0.6 эВ, проведение фото...

Изобретение относится к оптоэлектронной технике. Способ изготовления диодов средневолнового ИК диапазона спектра включает выращивание на подложке из арсенида индия твердого раствора InAs1-x-ySbxPy и разделенные р-n-переходом слои p- и n-типа проводимости, нанесение на поверхность гетероструктуры фоточувствительного материала, экспонирование через маску с системой темных и светлых полей, проявлени...

Фотодиод для средневолнового инфракрасного излучения содержит подложку и полупроводниковые слои р- и n-типа проводимости, по крайней мере один из которых выполнен из твердого раствора, содержащего атомы индия, мышьяка, сурьмы, фосфора и примесей, с концентрацией носителей заряда в диапазоне от 1016 до 1018 см-3, слой, примыкающий к вышеупомянутому слою из твердого раствора, выполнен из полупроводн...