Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных системы" (АО "Российские космические системы") (RU)
Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных системы" (АО "Российские космические системы") (RU) является правообладателем следующих патентов:

Прибор приема-передачи информационных массивов
Изобретение относится к области передачи информации и может быть использовано при построении бортовых информационных систем космических аппаратов. Технический результат заключается в согласовании бортовой информационно-вычислительной сети с информационными потоками бортовой информационно-телеметрической системы и синхронизации передачи информационного потока. Прибор приема-передачи информационны...
2601833
Радиационно-защитное покрытие радиоэлектронной аппаратуры
Изобретение относится к области приборостроения. Радиационно-защитное покрытие содержит переходный металл шестого периода Периодической системы химических элементов, постпереходный металл шестого периода Периодической системы химических элементов и/или лантаноид и поглощающее вещество, содержащее химический элемент с атомным номером меньшим, чем у упомянутых химических элементов. Радиационно-защ...
2605608
Способ изготовления силового полупроводникового транзистора
Изобретение относится к области технологии микроэлектроники, в частности к технологии изготовления силовых полевых транзисторов с вертикально расположенным затвором. Техническим результатом изобретения является унификация маршрута изготовления путем использования методов самосовмещения и перекрестного совмещения в процессах фотолитографии, что приводит к уменьшению требований по точности оборудова...
2623845