Общество с ограниченной ответственностью "МеГа Эпитех" (RU)

Изобретение относится к электронной технике, в частности к способам получения методом жидкофазной эпитаксии многослойных полупроводниковых структур. При реализации способа используют герметичную ростовую камеру с раствором-расплавом, в которой закрепляют попарно группу подложек. При этом применяют стационарную камеру роста с переменной шириной ростового канала по высоте с определенным углом отклон...