Институт физики твердого тела РАН (RU)
Институт физики твердого тела РАН (RU) является правообладателем следующих патентов:
Устройство для непрерывного выращивания ориентированных слоев кремния на углеродной ткани
Изобретение относится к области выращивания из расплава поликристаллических слоев кремния и может найти применение в производстве солнечных элементов (фотопреобразователей). Сущность изобретения: устройство включает тигель для расплава, нагреватель, подложку, соединенную с механизмом ее перемещения, и капиллярный питатель. Подложка выполнена из углеродной сетчатой ткани, нагреватель состоит из дву...
2264483Способ получения полых нагревателей сопротивления из углеродкарбидокремниевого композиционного материала
Изобретение относится к области получения профильных изделий на основе углерода, кремния и карбида кремния, которые могут использоваться в качестве нагревателей, работающих в окислительных газовых потоках при высоких температурах. Способ получения полых нагревателей сопротивления из углерод-карбидокремниевого композиционного материала включает изготовление заготовки на основе углеродного волокна п...
2286317Способ нанесения покрытия из палладия и его сплавов на металлические детали
Изобретение относится к области нанесения покрытий из палладия и его сплавов с благородными (серебро, золото, платина, родий, рутений) и некоторыми неблагородными металлами (медь, сурьма, висмут, олово, свинец, никель) и может быть использовано в микроэлектронике, электротехнике, в электрохимических аппаратах и устройствах. Способ включает обезжиривание, химическое травление и/или активирование, п...
2293138Способ кодирования и передачи криптографических ключей
Изобретение относится к области квантовой криптографии, а более конкретно к способам и устройствам кодирования и передачи криптографических ключей. Сущность способа кодирования криптографических ключей заключается в том, что на передающей станции формируют серии однофотонных состояний в заданных интервалах времени, преобразуют их в последовательность неортогональных однофотонных состояний и переда...
2302085Способ определения величины угла хиральности на электронно-дифракционных картинах кристаллов с трубчатой структурой
Использование: для определения величины угла хиральности на электронно-дифракционных картинах кристаллов с трубчатой структурой. Сущность: заключается в том, что используют один произвольный рефлекс (hk0) и измеряют расстояние Shk0 (мм) между экваториальной линией электронограммы и параллельной ей слоевой линией, на которой лежит рефлекс (hk0), а затем рассчитывают угол хиральности α из фо...
2329488