Шишкин Виктор Александрович (RU)

Изобретение относится к квантовой электронной технике, а именно к конструкции инжекционного полупроводникового лазера с повышенной плотностью мощности излучения. Инжекционный лазер на основе полупроводникового материала AIIIBV и его твердых растворов с интерференционным покрытием по крайней мере на одной оптической грани, состоящим из переходного слоя, эпитаксиальной пленки селенида цинка, имеет п...