PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Марийский государственный университет (RU)

Марийский государственный университет (RU) является правообладателем следующих патентов:

Способ бесконтактного измерения критического тока втсп и устройство для его реализации

Способ бесконтактного измерения критического тока втсп и устройство для его реализации

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения критического тока в высокотемпературном сверхпроводнике (ВТСП). В способе измерения критического тока его величину определяют без проникновения магнитного поля соленоида в ВТСП по разности полей соленоида без ВТСП-кольца и с ВТСП-кольцом, кроме того, в устройстве измерения магнитный сердечник является магнитозамк...

2244317

Переносное устройство для контроля состояния изоляции силовых трансформаторов

Переносное устройство для контроля состояния изоляции силовых трансформаторов

Изобретение относится к электроизмерительной технике. Технический результат изобретения: повышение достоверности в оценке и сравнении состояния изоляции. Сущность: устройство содержит усилитель с генератором 15 синусоидальных высокочастотных импульсов, переносной компьютер 14, блок питания 16, фильтры 10, 11 от помех, снабженные емкостным делителем 6 с блоком 7 отбора напряжения тестовых импульсов...

2245559

Способ формирования трехмерной толстопленочной схемы

Способ формирования трехмерной толстопленочной схемы

Изобретение относится к электронике и может быть использовано при изготовлении трехмерной толстопленочной схемы, содержащей проводниковые, сверхпроводниковые и др. элементы, нанесенные на верхние, нижние и боковые грани плоской подложки или подложку криволинейной формы. Технический результат - повышение производительности производства и снижение себестоимости за счет вжигания всей схемы в одном ци...

2254695

Способ изготовления подложки для толстопленочной втсп-схемы

Способ изготовления подложки для толстопленочной втсп-схемы

Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано при изготовлении высокотемпературной сверхпроводниковой (ВТСП) толстопленочной схемы. Технический результат - повышение производительности и снижение энергоемкости производства за счет снижения максимальной температуры обжига (с 1600-1700°С до 1000-1100°С) и соответственно его времени и замены высокотемпературной ста...

2262152