Тихонов Роберт Дмитриевич (RU)

Использование: полупроводниковая электронная техника. Сущность изобретения: в полупроводниковом приборе с периодическим расположением в кремниевой подложке элементов с инжекционной электронно-дырочной плазмой элементы связаны между собой электрическими полями и носителями тока. В структуре полупроводникового прибора активные элементы содержат периодическую структуру электронно-дырочной плазмы, пер...

Предлагаемое изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам - биполярным структурам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Технический результат изобретения: уменьшение влияния токов подложки полупроводникового прибора, чувствительного к магнитному полю на соседние элементы интегральной схемы и уменьшение погрешности измерений из-за начально...

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым биполярным приборам, предназначенным для выпрямления, усиления, переключения или генерирования электрических сигналов и имеющим структуру типа тиристора. Сущность изобретения: полупроводниковый биполярный прибор тиристорный триод, предназначенный для выпрямления, усиления, переключения или генерирования электрических сигналов...

Изобретение относится к области гальванотехники, в частности к осаждению сплава пермаллоя Ni81Fe19 для получения магнитомягкого материала элементов интегральных микросистем, концентрирующих или экранирующих магнитное поле. Способ включает электрохимическое осаждение пленок пермаллоя в гальванической ванне с вертикальным расположением электродов на постоянном токе при перемешивании хлоридного элект...

Использование: для создания полупроводниковых приборов, обладающих чувствительностью к воздействию магнитного поля. Сущность изобретения заключается в том, что пленочная система формирования магнитного поля содержит подложку, диэлектрический слой, магниточувствительный элемент, пленочные концентраторы магнитного поля, расположенные с двух сторон от элемента, чувствительного к магнитному полю, пле...

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Технический результат состоит в повышении чувствительности в микроминиатюрном исполнении. Пленочный концентратор магнитного поля сформирован на подложке с магниточувствительным элементом, покрытым диэлектрическим слоем, в виде частично пересекающихся двух к...