Амосов Владимир Ильич (RU)

Изобретение может быть использовано в технологии выращивания кристаллов, например, сапфира. Сущность изобретения: устройство для выращивания монокристаллов включает двухсекционную камеру, затравкодержатель, закрепленный на штоке, тигель, тепловой узел с нагревателем, собранным из изогнутых по форме тигля U-образных ламелей, центрирующее кольцо, на котором закреплены замкнутые части ламелей, водоох...

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов из расплавов на затравочный кристалл и может быть использовано для выращивания монокристаллов различного химического состава, например, типа А2В6 и А3В5, а также монокристаллов тугоплавких оксидов, например, сапфира. Сущность изобретения: в способе получения монокристаллов выращиванием из расплава, включающем расплавление исходного мате...

Изобретение относится к области высокотемпературной нагревательной техники и может быть использовано в установках выращивания монокристаллов из расплавов с выпуклой формой фронта кристаллизации. В высокотемпературном электронагревателе сопротивления, выполненном в виде сборных ламелей из прутков тугоплавких металлов и сплавов, образующих нагревательную камеру с отверстием в дне, и концами ламелей,...