ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА РАН (RU)

Изобретение относится к области выращивания из расплава поликристаллических слоев кремния и может найти применение в производстве солнечных элементов (фотопреобразователей). Сущность изобретения: устройство включает тигель для расплава, установленный внутри нагревателя, подложки, соединенные с механизмами их перемещения, и капиллярный питатель. Подложки выполнены из углеродной сетчатой ткани, а ка...

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов, и может быть использовано в технологии полупроводников, в том числе, для создания детекторов ионизирующих излучений.Сущность изобретения: нанопорошок теллурида кадмия со средним размером частиц 7-10 нм загружают в пресс-форму и помещают в камеру пресса. Образец нагружают до давления 600-650 МПа при температурах 20-25°...

Способ химического травления теллурида кадмия, полученного методом нанопорошковой технологии, относится к области изготовления полупроводниковых приборов, в частности детекторов ионизирующих излучений и оптических элементов для ИК-лазеров на основе керамики теллурида кадмия (CdTe), изготовленной по нанопорошковой технологии и может использоваться для анализа микроструктуры материала и изделий из э...

Изобретение относится к области изготовления материалов для систем хранения водорода, а также к области получения углеродных нанотрубок и может использоваться при изготовлении углеродных нанотрубок, применяемых в качестве материала-носителя в различных системах аккумулирования водорода. Сущность изобретения: способ обработки углеродных нанотрубок предусматривает нагрев при температуре 1500-1600&#x...

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано в нанотехнологиях, связанных с применением нанопорошков. Сущность изобретения: получение нанопорошка теллурида цинка-кадмия с составом Cd0,9Zn0,1Te проводится путем осаждения из газовой фазы в потоке гелия. При этом источник испарения имеет состав Cd0,5Zn0,5Te, температура источника испарения составляе...

Изобретение относится к способу изготовления оптических фильтров рассеяния для инфракрасного диапазона. Способ изготовления оптического фильтра рассеяния осуществляют прессованием порошка, при этом прессованию подвергается нанопорошок теллурида кадмия с размером зерна 10-15 нм при температуре от +18 до +25°С при давлении прессования 700-750 МПа. Технический результат заключается в создании...

Изобретение относится к области получения наноструктур и может быть использовано в автономных системах хранения водорода. Сущность изобретения: углеродные нанотрубки получают в замкнутом объеме, в атмосфере инертного газа, путем выдержки графита в парах сульфида цинка при температуре 1700-1770°С в течение 2-3 часов. Углеродные нанотрубки получают диаметром 10-20 нм. 1 ил.

Изобретение относится к области изготовления оптических элементов и может быть использовано в инфракрасной технике. Способ состоит в абразивной полировке кристаллов AgCl с водным раствором тиосульфата натрия, завершающейся промывкой обрабатываемого изделия в 30-40% растворе 2-метил-2-аминопропана (СН3)3CNH3 в этаноле C2H5OH, и последующей сухой финишной полировке. Способ обеспечивает высокоточную...

Изобретение может быть использовано для изготовления непроницаемых для расплава кремния графитовых лент, применяемых в электротехнической промышленности при получении элементов солнечных батарей. Ленту из графитовой фольги нагревают в герметичной водоохлаждаемой камере пропусканием электрического тока через участок ленты, проходящий между двумя графитовыми электродами и прижимными элементами при 1...

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов и может использоваться для получения объемного материала с высокой механической твердостью. Сущность изобретения состоит в том, что нанопорошок теллурида цинка-кадмия со средним размером частиц 10 нм загружают в пресс-форму и помещают в камеру пресса. Образец нагружают до давления 350-500 МПа при температурах от +20 до +25�...

Изобретение относится к области изготовления и обработки углеродных наноструктур и предназначено для термохимической активации поверхности углеродных нанотрубок для увеличения их сорбционной емкости. Сущность изобретения: устройство для увеличения сорбционной емкости углеродных нанотрубок состоит из стального корпуса с рабочей камерой, внутри которой установлен цилиндрический графитовый нагревател...

Изобретение относится к области изготовления оптических элементов из кристаллов полупроводников и может быть использовано в инфракрасной технике. Линзы изготавливают из селенида цинка созданием в монокристаллах селенида цинка плотности дислокации ≤5×105 см-2 и последующим разделением монокристаллов по плоскости спайности путем разрыва в направлении, находящемся под углом 89-91 град...

Изобретение относится к нейтральным светофильтрам и может быть использовано в оптических приборах, в частности, в качестве ослабителей, снижающих интенсивность излучения. Нейтральный светофильтр, состоящий из чередующихся слоев кристаллического моноселенида галлия GaSe и наночастиц галлия, обеспечивает однородное ослабление излучения с длинами волн 2,5-15 мкм. Коэффициент ослабления можно регулиро...

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов и может использоваться для изготовления оптических фильтров видимого и ближнего инфракрасного диапазонов спектра. Оптический фильтр с активным элементом из слоя наночастиц теллурида цинка-кадмия Cd1-xZnxTe (0≤х<1) с размером наночастиц в слое 5-10 нм при толщине слоя 30-50 нм, причем слой выращен на поверхности пасс...

Изобретение относится к области выращивания из расплава поликристаллических слоев кремния и может найти применение в производстве солнечных элементов (фотопреобразователей). Устройство включает тигель для расплава, нагреватель, состоящий из двух секций нагрева: квадратной, внутри которой установлен тигель, и прямоугольной, размещенной над подложкой, подложку, соединенную с механизмом ее перемещени...

Изобретение относится к химической промышленности. Графитовые изделия нагревают сначала до 2000°С, прекращают откачку и в зону, где они находятся, вводят пары четыреххлористого углерода класса ОСЧ до давления 50 Торр. Выдерживают 30 мин, откачивают реакционные продукты через азотную ловушку. Затем повышают температуру до 2100°С, прекращают откачку. Вводят хладон-12 до давления 30 Т...

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано в полупроводниковых нанотехнологиях. Сущность изобретения: в способе получения наностержней из селенида кадмия путем испарения расплава и осаждения паров на холодной подложке процесс проводится под давлением аргона 7-9 МПа в течение 5-20 минут. Способ позволяет получать наностержни CdSe диаметром 5-15...

Изобретение относится к области нанотехнологий, в частности для получения наночастиц Ga. Наночастицы Ga получают в кристаллической матрице моноселенида галлия путем плавления навески состава Ga 52±0,05% (мас.), Se 48±0,05% (мас.) и последующей кристаллизации при поступательном движении фронта кристаллизации с периодическими остановками. Периодичность остановок находится в диапазоне...