Институт микроэлектроники и информатики РАН (RU)
Институт микроэлектроники и информатики РАН (RU) является правообладателем следующих патентов:

Ячейка матрицы памяти
Использование: изобретение относится к устройствам энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии. Сущность изобретения: ячейка матрицы памяти включает проводящую шину первого уровня, расположенную на подложке, электрически изолирующей ее от других проводящих шин первого уровня матрицы, перекрещивающуюся с ней проводящую шину второг...
2263373
Способ получения квантоворазмерных структур на основе аморфных кремниевых нанокластеров, встроенных в диэлектрическую матрицу
Изобретение относится к области получения квантоворазмерных структур на основе аморфных кремниевых нанокластеров, встроенных в диэлектрическую матрицу, разложением кремнийсодержащей газовой смеси и может быть использовано в твердотельной электронике. Сущность изобретения: способ получения квантоворазмерных структур на основе аморфных кремниевых нанокластеров, встроенных в диэлектрическую матрицу,...
2292606
Плазмохимический реактор низкого давления для травления и осаждения материалов
Изобретение относится к области технологии микроэлектроники, микронанотехнологии, а именно к конструкции плазмохимического реактора, в котором производятся плазмохимические процессы травления и осаждения различных материалов. Плазмохимический реактор включает реакционную камеру, индуктор, держатель подложки, металлический тонкостенный цилиндрический экран и теплоотводящие стойки, свойства которых...
2293796
Способ формирования субмикронной и нанометровой структуры
Изобретение относится к области микроэлектроники, микро- и нанотехнологии. Сущность изобретения: способ формирования субмикронной и нанометровой структуры в подложке предусматривает формирование в слое на поверхности подложки рельефных структур, нанесение пленки до уменьшения размеров рельефной структуры до субмикронных и нанометровых размеров, анизотропное и селективное относительно материалов пл...
2300158
Ячейка матрицы энергонезависимой памяти
Изобретение относится к устройствам энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии. Сущность изобретения: ячейка включает полупроводниковую шину первого уровня, расположенную на подложке, электрически изолирующей ее от других шин первого уровня, перекрещивающуюся с ней металлическую шину второго уровня, расположенный под шиной второ...
2302058